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Samsung lança a primeira DRAM GDDR7 de 24 Gb do mundo, um forte impulso para a computação de IA
A gigante sul-coreana de semicondutores Samsung acaba de anunciar oficialmente que desenvolveu com sucesso a primeira DRAM GDDR7 de 24 gigabits (Gb) comercial do setor, principalmente para atender às crescentes necessidades do campo de computação de IA de próxima geração. A Samsung não apenas anuncia com confiança que esta é a DRAM GDDR7 de maior capacidade já criada, mas também suporta velocidades sem precedentes de mais de 40 Gbps. A empresa sul-coreana diz que a memória "aumentará significativamente o padrão" da DRAM gráfica "para alimentar aplicações futuras".
A validação de hardware com parceiros fabricantes de GPU começará este ano. E se tudo correr bem, a produção em massa começará no início do ano que vem. Comentando sobre esse desenvolvimento, YongCheol Bae, vice-presidente executivo de planejamento de produtos de memória da Samsung Electronics, disse:
Após o desenvolvimento bem-sucedido do primeiro modelo GDDR7 de 16 Gb do setor no ano passado, a Samsung solidificou ainda mais sua liderança tecnológica no mercado de DRAM gráfica com esta mais recente conquista. Continuaremos a liderar o mercado de DRAM gráfica lançando produtos de última geração que atendem às crescentes necessidades do mercado de IA.
A Samsung espera que a nova solução DRAM seja aplicada em vários campos que exigem soluções de memória de alto desempenho, como data centers e estações de trabalho de IA, ao mesmo tempo em que expande as aplicações tradicionais de DRAM gráfica em placas de vídeo, consoles de jogos e veículos autônomos.
Um benefício fundamental dos novos chips de memória GDDR7 em relação às gerações anteriores é a eficiência energética adicional que foi melhorada pelo uso de tecnologia de produtos móveis em DRAM gráfica pela primeira vez. Esses métodos incluem gerenciamento de controle de clock e design VDD duplo. Ao cortar o consumo desnecessário de energia, a eficiência energética foi melhorada em 30%, diz a Samsung.
Além disso, a Samsung afirma ter usado técnicas de design de power gate para minimizar o vazamento de corrente. Isso melhora a estabilidade operacional durante operações de alta velocidade.
A Samsung não forneceu nenhuma informação sobre preços para esta solução de memória nem deu uma data de lançamento prevista, mas é provável que seja em algum momento no segundo semestre de 2025.
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